原子力显微镜
原⼦⼒显微镜(AFM)是观测纳⽶材料的常⽤⼿段之⼀。主要⽤于获取材料表⾯纳⽶尺度三维形貌和电、磁、声、光、热等物化特征。⽬前,其是分辨率最⾼的显微镜,可达原⼦级分辨率。
原⼦⼒显微镜(AFM)控制微悬臂探针在样品表⾯进⾏扫描,通过检测扫描过程中探针-样品间原⼦的相互作⽤⼒,获取样品表⾯形貌及其他性质。由于原⼦⼒显微镜对样品没有导电性要求,因⽽得到⼴泛的应⽤,成为扫描探针显微镜家族中最为常⽤和重要的技术。
原⼦⼒显微镜(AFM)控制微悬臂探针在样品表⾯进⾏扫描,通过检测扫描过程中探针-样品间原⼦的相互作⽤⼒,获取样品表⾯形貌及其他性质。由于原⼦⼒显微镜对样品没有导电性要求,因⽽得到⼴泛的应⽤,成为扫描探针显微镜家族中最为常⽤和重要的技术。
原⼦⼒显微镜⼯作模式
接触模式
接触模式下,微悬臂探针紧压在样品表⾯,检测时与样品保持接触,作⽤⼒(斥⼒)通过微悬臂的变形进⾏测量。在该模式下,探针和样
品表⾯相接触,针尖与样品局域直接相互作⽤,实现技术相对简单,分辨率⾼,但成像时针尖对样品的作⽤⼒较⼤,特别是扫描过程中,样品受到探针因相对运动⽽产⽣的剪切⼒作⽤,故⼀般只适⽤于表⾯结构稳定的样品。
轻敲模式
轻敲模式下,系统产⽣⼀振动信号驱动微悬臂探针,使之处于共振状态⽽上下振荡。利⽤该微悬臂探针对样品表⾯进⾏扫描,检测因样品表⾯起伏引起的微悬臂振幅的相应变化,从⽽得到样品的表⾯形貌。该模式下,微悬臂处于上下振荡状态,扫描成像时针尖“敲击”样品
表⾯,两者间只有瞬间接触,能有效克服接触模式下因针尖的作⽤⼒(尤其是横向⼒)引起的样品损伤,适合于柔软或吸附样品的检测。
相移模式
作为轻敲模式的⼀项重要扩展技术,相移模式通过检测驱动微悬臂探针振动的信号源的相位⻆与微悬臂探针实际振动的相位⻆之差(即两者的相移)的变化来成像。
引起相移的因素很多,如样品的组分、硬度、粘弹性质等,此外,当样品表⾯存在裂道和狭缝,由于其边缘对振动探针产⽣纵向摩擦,也会引起额外的相移。因此利⽤相移式,可以在纳⽶尺度上获得样品表⾯局域性质的丰富信息。迄今相移模式已成为原⼦⼒显微镜的⼀种重要检测技术。
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品名原子力显微镜
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型号CSPM5500
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配置可选
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持样品尺寸是压电薄膜试样
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提供测试样品薄膜3片
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工作电源AC220V 50/60HZ
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额定功率2.0kw
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总电流10mA
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压电材料极化方式真空,空气,气氛,硅油等10多种极化方式
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加热元件优质电阻丝
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每路切断电流0.5mA
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定时1-99min±5%任意设定
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1次测试试样数量可加载1-3片试样
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额定温度≤180℃
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最高温度300℃
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控温方式智能化恒温控制
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样片样品尺寸为3-40mm片方型或是圆型试样或压电薄膜试样
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外形尺寸宽872高466深360(mm)
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配套使用能够配套ZJ-3和ZJ-6压电测试仪进行测试使用
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隔振系统(支撑)固有频率3、垂直方向1.0-1.8Hz,水平方向1.0-1.8HZ
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台板表面粗糙度4、≤1.6μm
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★ ×1挡10到2000pC/N,20 至4000pC/N,可以升级到10000PC/N.
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★×0.1挡1到200pC/N,2 至400pC/N
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压力范围0--15T,0-24T,0-30T,0-40T
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系统压力0--25 MPa ( 250Kgf /Cm*Cm ),0--40 MPa ( 400Kgf /Cm*Cm ),0--30 MPa ( 300 Kgf /Cm*Cm ),0--40 MPa ( 400Kgf /Cm*Cm )
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油缸升程0--20 mm,
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压力稳定性≤1MPa / 10min
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运动模式带快速预紧.
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工作空间160×160×150 mm
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重 量30 kg
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普通圆柱型模具Φ6;8;10;12;13(红外模具); 15;Φ20;25;30;40;50;Φ60;80;100 (mm).
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组合型圆柱模具(开瓣式)Φ6;8;10;12;13;15;Φ20;25;30;40;50;(mm).
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输出信号电压薄膜:0~±10V 陶瓷、材料:0~±2000V
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外形尺寸1270×200×450 mm
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输出信号频率薄膜材料1-1000HZ,陶瓷:0-1Hz
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电容范围1000nf~ 100nf, 精度: ≤1%
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电流范围1nA~10A ,精度: ≤1%
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测试样品0-20mm 5个
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高压样品池2个,一个封闭式:8CM*6CM 一个开放式:8CM*5CM
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三维移动薄膜测试平台直立式探针一套,角度式探针一套
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电流1-10倍放大,信号:1-20倍。.数据结口:USB或BNC接口
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接触角测量范围0-1800
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数据采集分析软件能画出铁电薄膜的电滞回线,定量得到铁电薄膜材料的饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流等参数;可以进行铁电薄膜材料的铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试,电阻测量,漏电流测量
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接触角测量分辨率±0.0010
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电动倾斜样品台精度0.001°
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高精度注射系统精度0.01μl
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表界面张力测量范围0-1000mN/m;测量精度:0.01 mN/m
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接触角高精密仪器校准片德国原装进口接触角角度校准标准片3°5°8° 60°90°120°115°(选配)
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可配置工位数1个,3个,定制
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真空漏率2x10-11 Pa·m3/S
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可密封试管壁厚可达0-2mm(根据焊枪火焰大小而定)
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旋转速度0-30rpm数显可调
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试管外径Φ 45,Φ 20,Φ 15,Φ 13mm或其他
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可密封试管长度标配170mm或其他
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真空接口KF25;泄气阀:KF16手动
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温度范围-20 ~ 250 ℃
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充气口尺寸3mm、6mm、8mm、1/8in、1/4in、可选
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产品尺寸250mmL*360mmW*780mmH
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最大输出功率3kW
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管电压10~60kV,管电流:5~60mA,管电压、电流稳定度:≤0.005%
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X射线管金属体陶瓷绝缘X射线管,焦点尺寸1×10mm或其它尺寸选择
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X射线防护标准安全连锁机构、散射线剂量符合国际标准 1.0μsv/h
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测角仪采用光学编码器技术与伺服电机双重定位
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扫描方式θ/θ测角仪,测角仪垂直放置,样品水平放置
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2θ测量范围-3°—160°,测角仪半径:225mm
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最小步宽角度0.0001°,角度重现性: 0.0001°
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衍射角线性度全谱范围内所有峰的角度偏差不超过±0.02度
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封闭正比计数器能谱分辨率小于25% (Cu Kα谱线)、最大线性计数率:大于5×105cps
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SDD探测器能谱分辨率小于187eV (Cu Kα谱线)、最大线性计数率:大于15×104cps,样品测量速度比正比探测器提高4倍以上。
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一维半导体阵列探测器动态范围1×109 cps,最大计数:≥ 9×107 cps,背景:≤ 0.1 cps;
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能量分辨功能具有高计数模式及去除荧光背景模式功能
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样品测量速度样品测量速度比正比探测器提高100倍以上。
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设备尺寸560×186×452mm(宽×高×深)